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NXP USA Inc. A2T18H455W23NR6
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A2T18H455W23NR6
1786-A2T18H455W23NR6
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
OM-1230-4L2S
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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A2T18H455W23NR6详情
NXP USA Inc. A2T18H455W23NR6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
OM-1230-4L2S
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
额定电流
10μA
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
频率
1.805GHz~1.88GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
1.08A
晶体管类型
LDMOS
增益
14.5dB
功率 - 输出
56dBm
电压-测试
31.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A2T18H455W23NR6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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