NXP USA Inc. A2V09H400-04SR3
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A2V09H400-04SR3
1786-A2V09H400-04SR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S-4L
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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A2V09H400-04SR3详情
NXP USA Inc. A2V09H400-04SR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
NI-780S-4L
供应商器件包装
NI-780S-4L
厂商
NXP USA Inc.
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Voltage Rated
105 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 0.5 V, 105 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.3 V
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 6 V, 10 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
250
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
935392098128
Manufacturer
NXP
Brand
恩智浦半导体
RoHS
Details
系列
-
包装
Reel
类型
射频功率MOSFET
子类别
MOSFETs
额定电流
10μA
技术
Si
频率
720MHz ~ 960MHz
工作频率
720 MHz to 960 MHz
通道数量
2 Channel
输出功率
120 W
测试电流
750 mA
产品类别
射频MOSFET晶体管
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
18.7dB
功率 - 输出
102W
噪声图
-
电压-测试
48 V
产品类别
射频MOSFET晶体管
A2V09H400-04SR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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