NXP USA Inc. A2V09H525-04NR6
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A2V09H525-04NR6
1786-A2V09H525-04NR6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
OM-1230-4L
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AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
--最小包装量--
A2V09H525-04NR6详情
NXP USA Inc. A2V09H525-04NR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
OM-1230-4L
Voltage Rated
105V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
额定电流
10μA
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
720MHz~960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
688mA
晶体管类型
LDMOS
增益
18.9dB
功率 - 输出
120W
电压-测试
48V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A2V09H525-04NR6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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