NXP USA Inc. A3G18H500-04SR3
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A3G18H500-04SR3
1786-A3G18H500-04SR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S-4L
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RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
--最小包装量--
A3G18H500-04SR3详情
NXP USA Inc. A3G18H500-04SR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
包装/外壳
NI-780S-4L
Voltage Rated
125V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
频率
1.805GHz~1.88GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
200mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
15.4dB
功率 - 输出
107W
电压-测试
48V
RoHS状态
符合RoHS标准
A3G18H500-04SR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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