NXP USA Inc. A3G26D055N-2600
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A3G26D055N-2600
1786-A3G26D055N-2600
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-LDFN Exposed Pad
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A3G26D055N 2515-2675 MHZ REFEREN
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A3G26D055N-2600详情
NXP USA Inc. A3G26D055N-2600重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
6-LDFN Exposed Pad
供应商器件包装
6-PDFN (7x6.5)
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Voltage Rated
125 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Part # Aliases
935427885598
Manufacturer
NXP
Brand
恩智浦半导体
Tool Is For Evaluation Of
A3G26D055N
RoHS
N
系列
-
类型
射频晶体管
子类别
开发工具
额定电流
-
频率
100MHz ~ 2.69GHz
测试电流
40 mA
产品类别
射频开发工具
晶体管类型
-
增益
13.9dB
功率 - 输出
8W
噪声图
-
电压-测试
48 V
产品
评估板
产品类别
射频开发工具
A3G26D055N-2600拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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