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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥193.784123
10
¥182.815207
100
¥172.467182
500
¥162.704887
1000
¥153.495176
NXP USA Inc. A5G23H065NT4
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- 对比
A5G23H065NT4
1786-A5G23H065NT4
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
6-LDFN Exposed Pad
大陆
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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
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¥
总价: ¥
A5G23H065NT4详情
NXP USA Inc. A5G23H065NT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
6-LDFN Exposed Pad
供应商器件包装
6-PDFN (7x6.5)
厂商
NXP USA Inc.
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Voltage Rated
125 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Transistor Polarity
Dual N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Id - Continuous Drain Current
5.2 mA
系列
-
额定电流
-
技术
GaN Si
频率
2.3GHz ~ 2.4GHz
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
输出功率
8.8 W
测试电流
30 mA
晶体管类型
-
增益
15.5dB
功率 - 输出
8.8W
噪声图
-
电压-测试
48 V
A5G23H065NT4拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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