NXP USA Inc. A5G26S004NT6
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A5G26S004NT6
1786-A5G26S004NT6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
DFN-6
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GAN DRIVER DFN4.5X4.0 6L
1最小包装量--
A5G26S004NT6详情
NXP USA Inc. A5G26S004NT6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
DFN-6
厂商
NXP USA Inc.
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 4.9 V
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
935418045528
Manufacturer
NXP
Brand
恩智浦半导体
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
10 mA
系列
*
包装
Reel
类型
射频功率MOSFET
子类别
MOSFETs
技术
GaN Si
工作频率
2496 MHz to 2690 MHz
通道数量
1 Channel
输出功率
24 dBm
产品类别
射频MOSFET晶体管
增益
20.9 dB
产品类别
射频MOSFET晶体管
A5G26S004NT6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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