NXP USA Inc. A5G35H120NT2

Name: A5G35H120NT2
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 1786-A5G35H120NT2
Price: 377.98 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

A5G35H120NT2

品牌

utmel 编号

1786-A5G35H120NT2

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

10-PowerLDFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

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A5G35H120NT2 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

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A5G35H120NT2详情

技术参数

NXP USA Inc. A5G35H120NT2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

10-PowerLDFN
供应商器件包装

10-DFN (7x10)
厂商

NXP USA Inc.
Package

Tape & Reel (TR)
Product Status

活跃
Voltage Rated

125 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

- 4.6 V
Shipping Restrictions

This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Polarity

N-Channel
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage

- 8 V
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000
Mounting Styles

SMD/SMT
Part # Aliases

935432729518
Manufacturer

NXP
Brand

恩智浦半导体
RoHS

Details
Id - Continuous Drain Current

10 mA
Rds On - Drain-Source Resistance

-
系列

-
包装

切割胶带
类型

射频功率MOSFET
子类别

MOSFETs
额定电流

-
技术

GaN Si
频率

3.3GHz ~ 3.7GHz
工作频率

3300 MHz to 3700 MHz
通道数量

1 Channel
输出功率

18 W
测试电流

70 mA
产品类别

射频MOSFET晶体管
晶体管类型

-
增益

14.1dB
功率 - 输出

18W
噪声图

-
电压-测试

48 V
产品类别

射频MOSFET晶体管