NXP USA Inc. A5G37H110NT4

Name: A5G37H110NT4
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 1786-A5G37H110NT4
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

型号

A5G37H110NT4

品牌

utmel 编号

1786-A5G37H110NT4

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

6-LDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

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1最小包装量--

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A5G37H110NT4详情

技术参数

NXP USA Inc. A5G37H110NT4重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

6-LDFN Exposed Pad
供应商器件包装

6-PDFN (7x6.5)
厂商

NXP USA Inc.
Package

Tape & Reel (TR)
Product Status

活跃
Voltage Rated

125 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

- 4.6 V
Shipping Restrictions

This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Polarity

Dual N-Channel
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage

- 8 V
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500
Mounting Styles

SMD/SMT
Part # Aliases

935432674528
Manufacturer

NXP
Brand

恩智浦半导体
RoHS

Details
Id - Continuous Drain Current

8.7 mA
系列

-
包装

Reel
类型

射频功率MOSFET
子类别

MOSFETs
额定电流

-
技术

GaN Si
频率

3.6GHz ~ 3.8GHz
工作频率

3600 MHz to 3800 MHz
通道数量

2 Channel
输出功率

13.5 W
测试电流

70 mA
产品类别

射频MOSFET晶体管
晶体管类型

-
增益

15.1dB
功率 - 输出

13.5W
噪声图

-
电压-测试

48 V
产品类别

射频MOSFET晶体管