A5G38H045NT4
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NXP USA Inc. A5G38H045NT4

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型号

A5G38H045NT4

utmel 编号

1786-A5G38H045NT4

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

DFN-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DMS GAN DFN7X6.5 6L

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1最小包装量--

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A5G38H045NT4详情

NXP USA Inc. A5G38H045NT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    DFN-6

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    125 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    - 2.4 V

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 8 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Part # Aliases

    935421037528

  • Manufacturer

    NXP

  • Brand

    恩智浦半导体

  • 系列

    *

  • 包装

    Reel

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    GaN Si

  • 工作频率

    3.7 GHz to 3.98 GHz

  • 输出功率

    5 W

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 增益

    15 dB

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

0个相似型号

A5G38H045NT4拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
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NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
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NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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