NXP USA Inc. AFT09S200W02GNR3
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AFT09S200W02GNR3
1786-AFT09S200W02GNR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
OM-780-2G
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Trans MOSFET N-CH 70V 2-Pin OM-780 T/R
1最小包装量--
AFT09S200W02GNR3详情
NXP USA Inc. AFT09S200W02GNR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
OM-780-2G
Voltage Rated
70V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.40
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
1.4A
晶体管类型
LDMOS
增益
19.2dB
功率 - 输出
56W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AFT09S200W02GNR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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