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AFT18S230-12NR3

AFT18S230-12NR3

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NXP USA Inc. AFT18S230-12NR3

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对比

型号

AFT18S230-12NR3

品牌

utmel 编号

1786-AFT18S230-12NR3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

OM-780-2L2L

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

The AFT18S230SR3 50 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

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AFT18S230-12NR3

AFT18S230-12NR3 NXP USA Inc. The AFT18S230SR3 50 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

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AFT18S230-12NR3详情

技术参数

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NXP USA Inc. AFT18S230-12NR3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

OM-780-2L2L
Voltage Rated

65V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

1.88GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
测试电流

1.4A
晶体管类型

LDMOS
增益

17.6dB
功率 - 输出

50W
电压-测试

28V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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