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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4003.085536
10
¥3776.49579
100
¥3562.731874
500
¥3361.06781
1000
¥3170.818689
NXP USA Inc. AFV121KGSR5
- 收藏
- 对比
AFV121KGSR5
1786-AFV121KGSR5
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230-4S GW
大陆
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BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHZ, 1000 W PE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AFV121KGSR5详情
NXP USA Inc. AFV121KGSR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-1230-4S GW
Voltage Rated
112V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
960MHz~1.22GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
测试电流
100mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
19.6dB
功率 - 输出
1000W
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AFV121KGSR5拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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