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AFV121KHSR5

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NXP USA Inc. AFV121KHSR5

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对比

型号

AFV121KHSR5

品牌

utmel 编号

1786-AFV121KHSR5

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

NI-1230-4S

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MH , 1000 W PEAK, 50 V

起订量

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AFV121KHSR5

AFV121KHSR5 NXP USA Inc. BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MH , 1000 W PEAK, 50 V

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技术参数

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NXP USA Inc. AFV121KHSR5重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

NI-1230-4S
Voltage Rated

112V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

不适用
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

960MHz~1.22GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
测试电流

100mA
晶体管类型

LDMOS (Dual)
增益

19.6dB
功率 - 输出

1000W
电压-测试

50V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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