NXP USA Inc. BF1208,115

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

Voltage Rated

6V

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

TIN

HTS代码

8541.21.00.75

额定电流

30mA

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

400MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

测试电流

19mA

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

N-Channel Dual Gate

增益

32dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.18W

噪声图

1.3dB

电压-测试

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant