NXP USA Inc. BF1211WR

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BF1211WR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低噪音

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

COMPLEX

操作模式

DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

DS 击穿电压-最小值

6 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.18 W

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

超高频段