NXP USA Inc. BF908WR,115
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BF908WR,115
1786-BF908WR,115
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SC-82A, SOT-343
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MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4
1最小包装量--
BF908WR,115详情
NXP USA Inc. BF908WR,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-82A, SOT-343
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
12V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1995
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
额定电流
40mA
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
200MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BF908
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
15mA
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
N-Channel Dual Gate
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.04A
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.3W
噪声图
0.6dB
电压-测试
8V
反馈上限-最大值 (Crss)
0.045 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BF908WR,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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