NXP USA Inc. BLC6G22LS-75,112
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BLC6G22LS-75,112
1786-BLC6G22LS-75,112
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SOT896B
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Transistors RF MOSFET Power Single 65V 18A 0.15Ohms
1最小包装量--
BLC6G22LS-75,112详情
NXP USA Inc. BLC6G22LS-75,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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包装/外壳
SOT896B
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
65V
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
额定电流
18A
频率
2.11GHz~2.17GHz
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
690mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
18.5dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18A
功率 - 输出
17W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLC6G22LS-75,112拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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