NXP USA Inc. BLF542,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
Base Product Number
BLF54
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
SOT171A
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Manufacturer Part Number
BLF542,112
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.72
Part Package Code
DFM
Drain Current-Max (ID)
1.5 A
系列
*
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F6
资历状况
不合格
Brand Name
恩智浦半导体
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
环境耗散-最大值
20 W
功率增益-最小值(Gp)
13 dB