NXP USA Inc. BLF6G38S-25,112

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

65 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLATPACK, S-CDFP-F2

Package Style

FLATPACK

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF6G38S-25,112

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Ampleon

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

AMPLEON NETHERLANDS B V

Risk Rank

7.54

Drain Current-Max (ID)

8.2 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

8.2 A

频率

3.6 GHz

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

S-CDFP-F2

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

4.5 W

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

225 mA

漏源电压 (Vdss)

65 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.1 A

栅极至源极电压(Vgs)

13 V

增益

15 dB

漏源击穿电压

65 V

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

580 mΩ

最高频段

S带

测试电压

28 V