BLP7G22-05Z
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NXP USA Inc. BLP7G22-05Z

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型号

BLP7G22-05Z

utmel 编号

1786-BLP7G22-05Z

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BLP7G22-05

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BLP7G22-05Z
BLP7G22-05Z NXP USA Inc. BLP7G22-05

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BLP7G22-05Z详情

NXP USA Inc. BLP7G22-05Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    12

  • 终端数量

    12

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    65 V

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-N12

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BLP7G22-05Z

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Ampleon

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    AMPLEON NETHERLANDS B V

  • Risk Rank

    5.69

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    2.14 GHz

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N12

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 输出功率

    1 W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 测试电流

    55 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    65 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    55 mA

  • JEDEC-95代码

    MO-229

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    13 V

  • 增益

    16 dB

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    2 Ω

  • 最高频段

    S带

  • 测试电压

    28 V

  • 辐射硬化

0个相似型号

BLP7G22-05Z拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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