NXP USA Inc. BLP8G10S-45PJ
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BLP8G10S-45PJ
1786-BLP8G10S-45PJ
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
SOT-1223-1
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TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
1最小包装量--
BLP8G10S-45PJ详情
NXP USA Inc. BLP8G10S-45PJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-1223-1
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
频率
952.5MHz~957.5MHz
基本部件号
BLP8G10
测试电流
224mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
20.8dB
功率 - 输出
2.5W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BLP8G10S-45PJ拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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