NXP USA Inc. BLS6G2731-120,112

工厂交货时间

26 Weeks

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

60 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLS6G2731-120,112

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Ampleon

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

AMPLEON NETHERLANDS B V

Risk Rank

4.32

Drain Current-Max (ID)

33 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

225 °C

最小工作温度

-65 °C

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

33 A

频率

3.1 GHz

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-CDFM-F2

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

120 W

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

100 mA

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

33 A

栅极至源极电压(Vgs)

13 V

增益

13.5 dB

最高频率

3.1 GHz

最大输出功率

120 W

漏源击穿电压

60 V

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

135 mΩ

最高频段

S带

测试电压

32 V

辐射硬化

无

达到SVHC

unknown

无铅

无铅