NXP USA Inc. BSH201,215

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23 (TO-236AB)

ECCN

ECL99

Gate Charge (Qg) @ Vgs

3nC @ 10V

Standard Package

1

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

70pF @ 48V

Online Catalog

P-Channel Logic Level Gate FETs

PCN Packaging

Lighter Reels 02/Jan/2014

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA (Ta)

包装

Cut Tape (CT)

功率 - 最大

417mW

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ohm @ 160mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA (Min)

漏源电压 (Vdss)

60V

场效应管特性

逻辑电平门