BSS83
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NXP USA Inc. BSS83

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型号

BSS83

utmel 编号

1786-BSS83

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal

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BSS83 NXP USA Inc. TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal

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BSS83详情

NXP USA Inc. BSS83重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BSS83

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    7.87

  • Part Package Code

    SOT-143

  • Drain Current-Max (ID)

    0.05 A

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SUBSTRATE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.05 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    120 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    10 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.23 W

0个相似型号

BSS83拓展信息

BUK7219-55A
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NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
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PMV250EPEA
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PMN20EN
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PSMN1R1-40BS
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PSMN8R040PS127
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BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

PSMN017-80BS
PSMN017-80BS

NXP USA Inc.

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