NXP USA Inc. BST82,215
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BST82,215
1786-BST82,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23
1最小包装量--
BST82,215详情
NXP USA Inc. BST82,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
ECCN
EAR99
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
Standard Package
3,000
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
40pF @ 10V
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
190mA (Ta)
包装
Tape & Reel (TR)
功率 - 最大
830mW
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ohm @ 150mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
100V
场效应管特性
逻辑电平门
BST82,215拓展信息
NXP USA Inc.
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