BST82,215
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NXP USA Inc. BST82,215

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型号

BST82,215

utmel 编号

1786-BST82,215

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23

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BST82,215 NXP USA Inc. BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23

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BST82,215详情

NXP USA Inc. BST82,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    SOT-23 (TO-236AB)

  • ECCN

    EAR99

  • Online Catalog

    N-Channel Logic Level Gate FETs

  • Standard Package

    3,000

  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds

    40pF @ 10V

  • PCN Packaging

    Lighter Reels 02/Jan/2014

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    190mA (Ta)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 功率 - 最大

    830mW

  • 家人

    FETs - Single

  • 场效应管类型

    MOSFET N-Channel, Metal Oxide

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10 Ohm @ 150mA, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. BST82,215.

BST82,215拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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