NXP USA Inc. BUK652R7-30C,127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

204W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

引脚数量

3

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6960pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

114nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant