NXP USA Inc. BUK953R2-40E,127

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

234W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

系列

TrenchMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69.5nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±10V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0032Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

781A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

419 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant