BUK9Y7R6-40E,115
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NXP USA Inc. BUK9Y7R6-40E,115

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型号

BUK9Y7R6-40E,115

utmel 编号

1786-BUK9Y7R6-40E,115

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

LFPAK/N-channel 40 V, 7.6 mO logic level MOSFET/12NC:934067046115

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BUK9Y7R6-40E,115
BUK9Y7R6-40E,115 NXP USA Inc. LFPAK/N-channel 40 V, 7.6 mO logic level MOSFET/12NC:934067046115

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BUK9Y7R6-40E,115详情

NXP USA Inc. BUK9Y7R6-40E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    LFPAK56, Power-SO8

  • Gate Charge (Qg) @ Vgs

    16.4nC @ 5V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    79A (Tc)

  • Standard Package

    1,500

  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds

    2403pF @ 25V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.1V @ 1mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 功率 - 最大

    95W

  • 家人

    FETs - Single

  • 场效应管类型

    MOSFET N-Channel, Metal Oxide

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6 mOhm @ 20A, 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. BUK9Y7R6-40E,115.

BUK9Y7R6-40E,115拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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