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NXP USA Inc. MHE1003NR3

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对比

型号

MHE1003NR3

品牌

utmel 编号

1786-MHE1003NR3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

OM-780-2

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

起订量

1最小包装量--

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MHE1003NR3

MHE1003NR3 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

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技术参数

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NXP USA Inc. MHE1003NR3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

OM-780-2
Voltage Rated

65V
Usage Level

Automotive grade
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
零件状态

最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
ECCN 代码

EAR99
额定电流

10μA
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

2.4GHz~2.5GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
测试电流

50mA
晶体管类型

LDMOS
增益

14.1dB
功率 - 输出

53dBm
电压-测试

28V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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