NXP USA Inc. MHT1006NT1
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MHT1006NT1
1786-MHT1006NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5W
大陆
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RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1最小包装量--
MHT1006NT1详情
NXP USA Inc. MHT1006NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5W
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
90mA
晶体管类型
LDMOS
增益
21.7dB
功率 - 输出
1.26W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MHT1006NT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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