NXP USA Inc. MHT1108NT1
- 收藏
- 对比
MHT1108NT1
1786-MHT1108NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
16-VDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
1最小包装量--
MHT1108NT1详情
NXP USA Inc. MHT1108NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
16-VDFN Exposed Pad
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
额定电流
10μA
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
2.45GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
测试电流
110mA
晶体管类型
LDMOS
增益
18.6dB
功率 - 输出
12.5W
电压-测试
32V
RoHS状态
符合RoHS标准
MHT1108NT1拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。