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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥570.835963
10
¥538.524491
100
¥508.041978
500
¥479.284885
1000
¥452.15555
NXP USA Inc. MMRF1019NR4
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- 对比
MMRF1019NR4
1786-MMRF1019NR4
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5
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RF MOSFET Transistors BL RF
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¥
总价: ¥
MMRF1019NR4详情
NXP USA Inc. MMRF1019NR4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rated
100V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
1.09GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PQSO-N4
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
10mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
25dB
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MMRF1019NR4拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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