NXP USA Inc. MRF085HR3
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MRF085HR3
1786-MRF085HR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-650H-4L
大陆
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WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
1最小包装量--
MRF085HR3详情
NXP USA Inc. MRF085HR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
20 Weeks
包装/外壳
NI-650H-4L
Voltage Rated
133V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
额定电流
2μA
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
1.8MHz~1.215GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
100mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
25.6dB
功率 - 输出
85W
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF085HR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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