NXP USA Inc. MRF6S19100NR1
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MRF6S19100NR1
1786-MRF6S19100NR1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-270AB
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Transistors RF MOSFET Power 1990MHZ 22W
--最小包装量--
MRF6S19100NR1详情
NXP USA Inc. MRF6S19100NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-270AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
68V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
1.99GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF6S19100
JESD-30代码
R-PDFP-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
950mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
14.5dB
DS 击穿电压-最小值
68V
功率 - 输出
22W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6S19100NR1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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