NXP USA Inc. MRF6V10250HSR3
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MRF6V10250HSR3
1786-MRF6V10250HSR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S
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FET RF 100V 1.09GHZ NI780S
1最小包装量--
MRF6V10250HSR3详情
NXP USA Inc. MRF6V10250HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
NI-780S
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
100V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
1.09GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-CDFP-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
250mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
21dB
DS 击穿电压-最小值
100V
功率 - 输出
250W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6V10250HSR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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