NXP USA Inc. MRF6V12250HSR3

包装/外壳

NI-780S

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rated

100V

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

频率

1.03GHz

基本部件号

MRF6V12250

JESD-30代码

R-CDFP-F2

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

100mA

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

增益

20.3dB

DS 击穿电压-最小值

110V

功率 - 输出

275W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant