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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3903.606464
10
¥3682.647612
100
¥3474.195863
500
¥3277.54326
1000
¥3092.021948
NXP USA Inc. MRF6V12500GSR5
- 收藏
- 对比
MRF6V12500GSR5
1786-MRF6V12500GSR5
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780GS-2L
大陆
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PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MRF6V12500GSR5详情
NXP USA Inc. MRF6V12500GSR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-780GS-2L
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
110V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
额定电流
200μA
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
960MHz~1.215GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
200mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
19.7dB
DS 击穿电压-最小值
110V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6V12500GSR5拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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