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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1857.982035
10
¥1752.813239
100
¥1653.597394
500
¥1559.997546
1000
¥1471.695797
NXP USA Inc. MRF6VP11KGSR5
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- 对比
MRF6VP11KGSR5
1786-MRF6VP11KGSR5
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230S-4 GW
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230S T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MRF6VP11KGSR5详情
NXP USA Inc. MRF6VP11KGSR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-1230S-4 GW
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
110V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.40
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
130MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF6VP11
测试电流
150mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
26dB
功率 - 输出
1000W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6VP11KGSR5拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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