NXP USA Inc. MRF6VP3091NBR5
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MRF6VP3091NBR5
1786-MRF6VP3091NBR5
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-272-4
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RF MOSFET Transistors VHV6 50V 4.5W
1最小包装量--
MRF6VP3091NBR5详情
NXP USA Inc. MRF6VP3091NBR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-272-4
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
115V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
860MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF6VP3091
JESD-30代码
R-PDFM-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
350mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
22dB
DS 击穿电压-最小值
115V
功率 - 输出
18W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6VP3091NBR5拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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