NXP USA Inc. MRF8P20140WGHSR3
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MRF8P20140WGHSR3
1786-MRF8P20140WGHSR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S-4
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FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
1最小包装量--
MRF8P20140WGHSR3详情
NXP USA Inc. MRF8P20140WGHSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-780S-4
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
125°C
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
1.88GHz~1.91GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF8P20140
测试电流
500mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
16dB
功率 - 输出
24W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
140W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8P20140WGHSR3拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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