NXP USA Inc. MRF8P9040GNR1
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MRF8P9040GNR1
1786-MRF8P9040GNR1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-270BB
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Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
1最小包装量--
MRF8P9040GNR1详情
NXP USA Inc. MRF8P9040GNR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
TO-270BB
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rated
70V
Operating Temperature (Max.)
225°C
Number of Elements
2
Usage Level
Military grade
已出版
2006
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDFM-G4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
320mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
19.1dB
DS 击穿电压-最小值
70V
功率 - 输出
4W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8P9040GNR1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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