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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1028.293498
10
¥970.088203
100
¥915.177554
500
¥863.375051
1000
¥814.504761
NXP USA Inc. MRF8S18210WGHSR3
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- 对比
MRF8S18210WGHSR3
1786-MRF8S18210WGHSR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-880XS-2 GW
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RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MRF8S18210WGHSR3详情
NXP USA Inc. MRF8S18210WGHSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-880XS-2 GW
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
125°C
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
1.93GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF8S18210
配置
Single
测试电流
1.3A
晶体管类型
N-Channel
增益
17.8dB
功率 - 输出
50W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8S18210WGHSR3拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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