NXP USA Inc. MRF8S23120HSR3

包装/外壳

NI-780S

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rated

65V

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

2.3GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MRF8S23120

JESD-30代码

R-CDFP-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

800mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

增益

16dB

DS 击穿电压-最小值

65V

功率 - 输出

28W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

28V

RoHS状态

ROHS3 Compliant