NXP USA Inc. MRF8S8260HR3
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MRF8S8260HR3
1786-MRF8S8260HR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-880
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RF MOSFET Transistors HV8 900MHZ 260W NI880H
1最小包装量--
MRF8S8260HR3详情
NXP USA Inc. MRF8S8260HR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
NI-880
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
70V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
895MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF8S8260
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.5A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
21.1dB
DS 击穿电压-最小值
70V
功率 - 输出
70W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8S8260HR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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