NXP USA Inc. MRFE6VP6600GNR3
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MRFE6VP6600GNR3
1786-MRFE6VP6600GNR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
OM-780G-4L
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RF MOSFET Transistors BL RF
--最小包装量--
MRFE6VP6600GNR3详情
NXP USA Inc. MRFE6VP6600GNR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
OM-780G-4L
Voltage Rated
133V
Usage Level
Automotive grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
230MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
测试电流
100mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
24.7dB
功率 - 输出
600W
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRFE6VP6600GNR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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