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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥140.571556
10
¥132.614676
100
¥125.108184
500
¥118.026589
1000
¥111.345839
NXP USA Inc. MRFG35003N6AT1
- 收藏
- 对比
MRFG35003N6AT1
1786-MRFG35003N6AT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5
大陆
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Trans JFET 8V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MRFG35003N6AT1详情
NXP USA Inc. MRFG35003N6AT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5
表面安装
YES
晶体管元件材料
砷化镓
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
85°C
Voltage Rated
8V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
3.55GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRFG35003
JESD-30代码
R-PQSO-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
180mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
pHEMT FET
增益
10dB
DS 击穿电压-最小值
8V
功率 - 输出
450mW
场效应管技术
高电子迁移率
电压-测试
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRFG35003N6AT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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