PSMN4R3-80ES
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NXP USA Inc. PSMN4R3-80ES

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型号

PSMN4R3-80ES

utmel 编号

1786-PSMN4R3-80ES

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

120A, 80V, 0.0043ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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PSMN4R3-80ES NXP USA Inc. 120A, 80V, 0.0043ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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PSMN4R3-80ES详情

NXP USA Inc. PSMN4R3-80ES重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最大功率耗散

    306 W

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • 连续放电电流(ID)

    120 A

  • 阈值电压

    3 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

PSMN4R3-80ES拓展信息

BUK7219-55A
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PSMN1R7-60BS
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PMV250EPEA
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PMN20EN
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PSMN1R1-40BS
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PSMN8R040PS127
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BSS83
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2N7002P,215
2N7002P,215

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BLF6G38-10G,118
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PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

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