NXP USA Inc. SI4800,518

表面安装

YES

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Number of Elements

1

已出版

2001

系列

TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18.5m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

800mV @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.8nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.0185Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant